Бикристаллические подложки используются для создания джозефсоновских переходов на высокотемпературных сверхпроводниковых пленках. Ленты для бикристаллов выращивают на бикристаллическом семени. Ориентация широкой плоскости является направлением роста. Бикристаллический угол равен 2 × 14 °. Производство лазерных диодов и суперярких синих и зеленых светодиодов (LED) находится в стадии быстрого развития.
Аналогичный быстрый рост наблюдается в областях их применения - от светофоров до лечения пациентов, страдающих болезнью Альцгеймера (облучение с интенсивностью света 30 лк с помощью пилотного устройства, включающего синие светодиоды, уменьшает степень нарушения сна и периоды бодрствования, очевидно, из-за снижения температуры тела пациентов). Для синего светодиода
используются гетероструктуры GaN / сапфир (несмотря на то, что рассогласование решетки составляет около 13%) и AlGaN / InGaN / GaN / (0001)
Хотя существует множество подложек, которые рассматриваются как потенциальные материалы для замены сапфировой подложки, она все еще доминирует на рынке подложек (для роста светодиодов GaN) из-за его разумной цены и относительно низкого несоответствия. Чжунчжу способен обрабатывать подложки в соответствии с потребностями клиентов. В настоящее время производство сапфировых подложек варьируется от 2 до 12 дюймов с высоким качеством и точной ориентацией.
Таблица 1 Размер подложек
|
|
2 inches Substrates
|
4 inches Substrates
|
6 inches Substrates
|
|
Diameter (mm)
|
50.9±0.1
|
100.1±0.1
|
150.1±0.1
|
|
Primary Flat Length (mm)
|
16±1
|
31±1
|
47.5±1
|
Таблица 2 Спецификация субстратов
|
Material
|
High purity single crystal sapphire
|
|
Surface Orientation
|
C-plane ± 0.1°
|
|
Primary Flat Orientation
|
A-plane ± 0.5°
|
|
Broken edge length
|
≤3mm
|
|
Crack
|
0
|
|
Defect
|
No inclusion，twin，or boundary
|
|
Bubble and cloud
|
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length
|
|
EPD
|
≤1000 pits/cm2
|
Contact Now
